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簡(jiǎn)要描述:Wafer XRDPanalytical X射線技術(shù)用于全自動(dòng)晶圓揀選、生產(chǎn)和質(zhì)量控制。
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Wafer XRD用于全自動(dòng)晶圓揀選、生產(chǎn)和質(zhì)量控制
特點(diǎn)
適用于3到8寸晶圓。也可根據(jù)要求提供其他尺寸
FOUP、載具或單個(gè)晶圓臺(tái)
跨槽晶圓識(shí)別為可選功能
易于集成到任何工藝生產(chǎn)線中
測(cè)量速度:每個(gè)樣品<10秒
典型標(biāo)準(zhǔn)偏差(傾斜度):例如Si 100<0.003°
MES和SECS/GEM接口
銅靶微焦點(diǎn)風(fēng)冷X射線光管(**30W)或細(xì)焦點(diǎn)水冷X射線光管(**1.5kW)
符合CE標(biāo)準(zhǔn)的安全控制裝置
通過3色燈塔指示狀
材料
Si、SiC、GaAs、GaN、藍(lán)寶石(Al?O?)、Ge、AIN、石英、InP和100s等。
可選插件
電阻率測(cè)量范圍:0.01至0.020Ωcm
自動(dòng)識(shí)別晶圓數(shù)據(jù)矩陣碼、二維碼、條形碼或類似代碼
未拋光晶圓和鏡面的距離測(cè)量
年產(chǎn)1,000,000片晶圓
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